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 K9F1208U0C-PCB0概述

K9F1208U0C-PCB0，K9F1208U0B-PCB0是SAMSUNG公司生产的采用NAND技术的大容量、高可靠Flash存储器。该器件存储容量为64M×8位，除此之外还有2048K×8位的空闲存储区。该器件采用TSSOP48封装，工作电压2.7～3.6V。
K9F1208U0C-PCB0对528字节一页的写操作所需时间典型值是200μs，而对16K字节一块的擦除操作典型仅需2ms。8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法。这样既可减少引脚数，还可使接口电路简洁。
概要地说明了K9F1208U0C-PCB0各个引脚的功能。
I/O0～I/O7 数据输入输出端，芯片未选中为高阻态

CLE 命令锁存使能

ALE地址锁存使能

CE 芯片选择控制

RE数据输出控制，有效时数据送到I/O总线上

WE写I/O口控制，命令地址数据在上升沿锁

三星NANDFLASH：K9F1208UOC-PCB0 SAMSUNG专营商

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目前，有三代DDR存储器：

DDR1存储器，400 MHz速率时钟和64位（8字节）数据总线，现正逐渐过时，且不再批量生产。这一技术正采用新方式来实现RAM存储器的更快速度/数据速率。

DDR2技术正以400 MHz至800 MHz的数据速率和64位（8字节）数据总线代替DDR。RAM制造商目前正大量生产的DDR2存储器与上一代DDR存储器不能物理兼容。

DDR3技术拾起的正是DDR2遗忘的技术（800 Mbps带宽），并使速度达到1.6 Gbps。ELPIDA已宣布的一个芯片包含高达512兆的DDR3 SDRAM，8.75 ns（CL7延迟）的列存取时间以及1.6 GHz时1.6 Gbps的数据传输速率。与DDR2存储器相比，1.5V DDR3电压电平还更省电。更有趣的是，在更低的1.36V上，DDR3 RAM在具有CL6延迟（总CAS时间为8.4 ns）的1.333 GHz（DDR3-1333）上运行正常，这可与目前快DDR2存储器的CAS时间相媲美。

图显示DDR2/DDR3存储器类型的片内终结器（ODT）与DDR1母板终结的比较，这也是为什么前两个类型与DDR1器件不能物理兼容的主要原因。